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日本開發(fā)成功全碳素集成電路

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-27     來源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):114
核心提示:

日本名古屋大學(xué)與芬蘭阿爾托大學(xué)共同研究、開發(fā)成功全碳素集成電路。屬世界首次。 

研究小組采用碳納米管(CNT)制作電極和配電材料、用丙烯樹脂制作絕緣材料,合成透明的全碳素集成電路。經(jīng)測試,其電子移動(dòng)速度達(dá)1000平方米/秒伏特,是一般在樹脂基板上嵌入薄膜晶體管而成的集成電路的20倍以上。制品具有較高柔軟性和伸縮性,通過熱成型可制成各種立體形狀,滿足電子設(shè)備設(shè)計(jì)要求。研究小組期待該發(fā)明廣泛用于可彎曲顯示器、血壓測定儀以及高性能集成電路等領(lǐng)域。 


 


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