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一種能提高LED發(fā)光材料質量的新技術

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-20     來源:[標簽:出處]     作者:[標簽:作者]     瀏覽次數:79
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  日前外媒報導,北卡羅萊納州立大學發(fā)現了一種通過降低氮化鎵薄薄膜中的2~3個數量級缺陷,來提高led發(fā)光材料的質量的新技術。

  研究人員介紹,通過該技術,相同的輸入電能能夠多產生2倍的輸出光能,對于低電能輸入和紫外發(fā)光范圍的LED而言,這種增長非?捎^。

  LED照明主要依賴于氮化鎵薄膜的發(fā)光二極管,研究人員將2微米厚的GaN薄膜的一半厚度嵌入到長2微米寬,0.5微米的空間間隙,之后發(fā)現,許多缺陷會被吸引并困在這些空隙空間里。這使得空隙空間上減少了許多缺陷。因此,他們有效的在薄膜中放置一些空隙空間后,成功地防止缺陷蔓延到薄膜的其余部位。如果沒有這個空隙技術,每平方厘米的氮化鎵薄膜將會有大約1010個缺陷。然而使用了這個技術后,每平方厘米的缺陷將會降到大約107.以此可制造出更高質量、更有效的發(fā)光二極管。

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