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核心提示：
事業(yè)處標(biāo)準(zhǔn)電源產(chǎn)品副總裁暨總經(jīng)理弗蘭克Schwertlein且符合RoHS環(huán)保之MOSFET，協(xié)助客戶開發(fā)節(jié)能的“綠色”產(chǎn)品。“
英飛凌專*的無鉛黏晶（芯片粘接） 175μm），為功率半導(dǎo)體提供多項(xiàng)改良：
環(huán)保的技術(shù)：不使用線索及其他有毒物質(zhì)。
擴(kuò)散焊接黏晶技術(shù)結(jié)合薄晶圓制程：大幅降低封裝的導(dǎo)通電阻值的RDS（on）。
熱阻（RthJC）改善率高達(dá)40 - 50％：傳統(tǒng)的軟線索焊料的熱傳導(dǎo)能力不佳，阻礙了MOSFET的接面之散熱。
其他優(yōu)點(diǎn)還包括：由于沒有焊錫流量跡（出血）及晶片傾斜（芯片tiltness）的問題，以及更收斂的RDS（ON）與RthJC
從新款的OptiMOS T2 40V（如：IPB160N04S4 - 02D，160A）的規(guī)格產(chǎn)品得知，其RDS（ON）僅2.0mΩ且RthJC僅0.9K / W相較于使用標(biāo)準(zhǔn)線索焊接的同類產(chǎn)品，其導(dǎo)通電阻降低了約20％的OptiMOS T2的產(chǎn)品擁有同級(jí)產(chǎn)品中最佳效能。
上市時(shí)間
OtpiMOS T2為業(yè)界率先采用至無鉛封裝的車用電源的MOSFET的，系列產(chǎn)品包括IPB160N04S4 - 02D（160A，TO - 263封裝），IPB100N04S4 - 02D（100A，TO - 263），IPP100N04S4 - 03D（100A，TO - 220 ）以及IPI100N04S4 - 03D（100A，TO - 262）皆已上市。
