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Vishay大幅擴(kuò)充 E系列650V N溝道 功率MOSFET家族

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-11-17     來(lái)源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):234
核心提示:

賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 6 月4 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝,將10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到30mΩ~600mΩ,將最高電流等級(jí)擴(kuò)大為6A~105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù),針對(duì)可再生能源、工業(yè)、照明、電信、消費(fèi)和計(jì)算市場(chǎng)中對(duì)輸入電壓安全裕量有額外要求的應(yīng)用,Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指標(biāo)。

今天推出的器件使E系列的器件總數(shù)達(dá)到26個(gè)。所有E系列器件都具有超低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,可實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗,可在功率因數(shù)校正、服務(wù)器和通信電源系統(tǒng)、焊接、不間斷電源(UPS)、電池充電器、LED照明、半導(dǎo)體制造設(shè)備、適配器和太陽(yáng)能逆變器等高功率、高性能開(kāi)關(guān)電源中節(jié)省能源。

器件針對(duì)雪崩和通信模式中承受高能脈沖而設(shè)計(jì),通過(guò)100%的UIS測(cè)試確保極限性能。MOSFET符合RoHS。

器件規(guī)格表:

編號(hào)

V(BR)DSS (V)

ID @ 25C(A)

RDS(ON) max.@ Vgs = 10 V (m?)

Qg typ@ Vgs = 10V (nC)

封裝

樣品

SiHP6N65E

650

6

600

21

TO220

已發(fā)布

SiHF6N65E

650

6

600

21

TO220F

已發(fā)布

SiHB6N65E

650

6

600

21

TO263 (D2PAK)

已發(fā)布

SiHD6N65E

650

6

600

21

TO252 (DPAK)

已發(fā)布

SiHU6N65E

650

6

600

21

TO251 (IPAK)

已發(fā)布

SiHP12N65E

650

12

380

33

TO220

可供貨

SiHB12N65E

650

12

380

33

TO263 (D2PAK)

可供貨

SiHF12N65E

650

12

380

33

TO220F

可供貨

SiHP15N65E

650

15

280

44

TO220

已發(fā)布

SiHB15N65E

650

15

280

44

TO263 (D2PAK)

已發(fā)布

SiHF15N65E

650

15

280

44

TO220F

已發(fā)布

SiHP22N65E

650

22

180

65

TO220

已發(fā)布

SiHF22N65E

650

22

180

65

TO220F

已發(fā)布

SiHB22N65E

650

22

180

65

TO263 (D2PAK)

已發(fā)布

SiHG22N65E

650

22

180

65

TO247AC

已發(fā)布

SiHP24N65E

650

24

150

83

TO220

已發(fā)布

SiHB24N65E

650

24

150

83

TO263 (D2PAK)

已發(fā)布

SiHG24N65E

650

24

150

83

TO247AC

已發(fā)布

SiHP28N65E

650

28

125

99

TO220

五月

SiHG28N65E

650

28

125

99

TO247AC

五月

SiHW28N65E

650

28

125

99

TO247AD

五月

SiHG47N65E

650

47

70

178

TO247AC

可供貨

SiHW47N65E

650

47

70

178

TO247AD

可供貨

SiHG64N65E

650

65

51

244

TO247AC

五月

SiHW64N65E

650

65

51

244

TO247AD

五月

SiHS105N65E

650

105

30

405

Super TO247

五月

新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,量產(chǎn)供貨周期為十六周到十七周。

VISHAY簡(jiǎn)介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無(wú)源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

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