無(wú)源器件變得越來(lái)越小，分立無(wú)源器件即將達(dá)到可制造性的極限。對(duì)于大批量貼裝應(yīng)用來(lái)說(shuō)，0201器件(0.6 x 0.3mm)仍是最小的。下一步，分立器件將被集成進(jìn)所謂的集成無(wú)源器件中，或集成進(jìn)到嵌入式無(wú)源器件的基底中。

這些集成無(wú)源器件將會(huì)在器件的底面突起焊球，而不是在器件的周?chē)�引出引腳，其焊點(diǎn)間距也會(huì)越來(lái)越小。周邊引腳的IC器件(如SO和QFP等封裝器件)的引腳間距仍在現(xiàn)有間距(最小0.3mm)附近保持穩(wěn)定。

然而，考慮到強(qiáng)度和工藝?yán)喂绦缘仍�因，這些器件批量應(yīng)用的實(shí)際最小間距可能為0.4mm。為了進(jìn)一步減小封裝尺寸，像BGA和CSP等區(qū)域陣列形式的封裝類(lèi)型正大受歡迎，而倒裝器件的包裝也將從餅干狀轉(zhuǎn)向帶狀和/或圓片狀。

電子產(chǎn)品的小型化趨勢(shì)也迫使倒裝芯片和CSP封裝器件的焊點(diǎn)間距不斷減小，由于工藝的限制，低于某一間距后回流焊工藝便不再適用。

有兩種工藝可用于倒裝/CSP芯片的回流焊：采用焊膏的C-4處理和采用粘性助焊劑的回流焊。在這兩種倒裝芯片回流焊工藝中，焊接后一般需要進(jìn)行底部填充以解決芯片和基底之間熱膨脹差異所帶來(lái)的問(wèn)題。至今，焊接后的底部填充都是通過(guò)在倒裝芯片兩邊進(jìn)行流體涂敷的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)的。倒裝芯片底邊和基底頂邊之間的間隙(回流焊后是40(m或更大)相當(dāng)于毛細(xì)管，將填充材料帶至倒裝芯片的下面。

所有的制造商都不想將底部填充作為單獨(dú)的工藝來(lái)處理，因此混合助焊劑/底部填充流體材料便應(yīng)運(yùn)而生。這種混合流體材料的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是填充系數(shù)比較好，因此無(wú)須毛細(xì)管效應(yīng)。但低于100(m的間距以下，回流焊就不行了。這時(shí)，就要采用導(dǎo)電粘合劑。

導(dǎo)電粘合劑主要有兩種類(lèi)型：1，等向性導(dǎo)電粘合劑(ICA)，包含很多導(dǎo)電微粒，可在所有方向?qū)щ姡?，非等向性導(dǎo)電粘合劑(ACA)，包含很少的導(dǎo)電微粒，只有在加大貼裝力度(70~150N/cm2)及局部處理(150~200(C)后才具有導(dǎo)電性。

ACA相對(duì)于回流焊的優(yōu)勢(shì)在于其更小的間距(50(m相對(duì)于100(m)、無(wú)須焊接抗蝕劑，而且無(wú)須底部填充。ACA的缺點(diǎn)在于焊膏溶化期間元器件無(wú)法自己排列，而且其電氣阻抗較高。工藝/技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)見(jiàn)表4 。這些導(dǎo)電粘合劑工藝的重要性將會(huì)日益明顯，特別是模塊裝配制造商。